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| Prix | USD0.5-USD1/PC |
| MOQ | 50pcs ( sample available) |
| Heure de livraison | depend on the order quantity /Negotiable |
| Marque | JEUNKEI |
| Point d'origine | La Chine |
| Certification | ISO9001,CE |
| Numéro de modèle | JY4N8M |
| Détails de empaquetage | suite pour l'exportation |
| Conditions de paiement | T/T, Western Union, Paypal |
| Capacité d'approvisionnement | 30000 pièces par mois |
| Brand Name | JEUNKEI | Numéro de modèle | JY4N8M |
| Certification | ISO9001,CE | Point d'origine | La Chine |
| Quantité d'ordre minimum | 50pcs (échantillon disponible) | Price | USD0.5-USD1/PC |
| Conditions de paiement | T/T, Western Union, Paypal | Capacité d'approvisionnement | 30000 pièces par mois |
| Délai de livraison | dépendez de la quantité /Negotiable d'ordre | Détails de empaquetage | suite pour l'exportation |
| Nom | Transistor MOSFET de puissance | Modèle N°. | JY4N8M |
| Taper | Canal de N | Tension de Drain-source | 40 V |
| Tension de Porte-source | ± 20 V | Courant continu de drain | 80A (Tc=25°C) |
| Courant pulsé de drain | 350A | Dissipation de puissance maximale | 80W |
| récupération inverse du corps | - Oui, oui. |
Description générale:
Caractéristiques:
Le JY4N8M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité de cellules et réduit la résistance d'allumage avec une faible charge de porte.Ces caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.
Applications:
●
40V/80A,
RDS
((ON)
≤6,5mΩ@VGS=10V
●
Un
changement
rapide
et
une
récupération
inverse
du
corps
●
Voltage
et
courant
d'avalanche
parfaitement
caractérisés
●
Excellent
emballage
pour
une
bonne
dissipation
de
la
chaleur
Description du code PIN:
Les valeurs maximales absolues ((Tc=25°C, sauf indication contraire)
| Le symbole | Paramètre | Limite | Unité | |
| VRésultats de l'enquête | Voltage de la source de vidange | 40 | V | |
| VGS | Voltage de la porte de sortie | ± 20 | V | |
| Je suis...D | Courant de drainage continu | Tc = 25°C | 80 | Une |
| Tc = 100°C | 55 | |||
| Je suis...Le DM | Courant de drainage pulsé | 350 | Une | |
| PD | Dissipation de puissance maximale | 80 | W | |
| TJeTGST | Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage | -55 à +175 | °C | |
| RThJC | Résistance thermique - jonction avec le boîtier | 1.88 | °C/W | |
| RLes résultats | Résistance thermique - jonction avec l'environnement | 92 | ||
Compte rendu de l' ensemble:
| Le symbole | Dimensions en millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Je ne sais pas. | - Je vous en prie. | Je ne sais pas. | - Je vous en prie. | |
| Une | 2.200 | 2.400 | 0.087 | 0.094 |
| A1 | 0.000 | 0.127 | 0.000 | 0.005 |
| b | 0.660 | 0.860 | 0.026 | 0.034 |
| c | 0.460 | 0.580 | 0.018 | 0.023 |
| D | 6.500 | 6.700 | 0.256 | 0.264 |
| D1 | 5.100 | 5.460 | 0.201 | 0.215 |
| D2 | 0Un.483 type. | 0.190 type. | ||
| E | 6.000 | 6.2000 | 0.236 | 0.244 |
| e | 2.186 | 2.386 | 0.086 | 0.094 |
| L | 9.800 | 10.400 | 0.386 | 0.409 |
| L1 | 2.900 TYP | 0.114 type. | ||
| L2 | 1.400 | 1.700 | 0.055 | 0.067 |
| L3 | 1.600 TYP | 0.063 type. | ||
| L4 | 0.600 | 1.000 | 0.024 | 0.039 |
| ø | 1.100 | 1.300 | 0.043 | 0.051 |
| Le | 0° | 8° | 0° | 8° |
| h | 0.000 | 0.300 | 0.000 | 0.012 |
| v | 5Un.350 TYP. | 0.211 type. | ||
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