Français
Connectez-vous
| Prix | USD10/piece |
| MOQ | 1 piece |
| Heure de livraison | 3 working days |
| Marque | ZG |
| Point d'origine | La Chine |
| Certification | CE |
| Number modèle | Milliseconde |
| Détails de empaquetage | Boîte en bois forte pour l'expédition globale |
| Conditions de paiement | L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacité d'approvisionnement | 10000 morceaux par mois |
| Brand Name | ZG | Number modèle | Milliseconde |
| Certification | CE | Point d'origine | La Chine |
| Quantité d'ordre minimum | 1 morceau | Price | USD10/piece |
| Conditions de paiement | L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram | Capacité d'approvisionnement | 10000 morceaux par mois |
| Délai de livraison | 3 jours ouvrables | Détails de empaquetage | Boîte en bois forte pour l'expédition globale |
| Application | Dispositif de puissance élevée Dispositif optoélectronique d'épitaxie de GaN de dispositif Diode éle | Diamètre | Ø 1"/Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6" |
| Épaisseur | 330 um | 350 um | Catégorie | Catégorie de production/catégorie de recherches |
Gaufrette de SIC
La gaufrette de semi-conducteur, inc. (SWI) fournit la gaufrette de haute qualité de monocristal sic (carbure de silicium) à l'industrie électronique et optoélectronique. Sic la gaufrette est un matériel de semi-conducteur de prochaine génération, avec les propriétés électriques uniques et les excellentes propriétés thermiques, comparées à la gaufrette de silicium et à la gaufrette de GaAs, sic gaufrette est plus appropriée à l'application de dispositif de haute température et de puissance élevée. Sic la gaufrette peut être fournie de diamètre 2 pouces, 4H et 6H sic, de type n, azote enduit, et type semi-isolant disponible. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit.
Sic application de gaufrette
| Dispositif à haute fréquence | Dispositif à hautes températures |
| Dispositif de puissance élevée | Dispositif optoélectronique |
| Dispositif d'épitaxie de GaN | Diode électroluminescente |
Sic propriétés de gaufrette
| Polytype | 6H-SiC | 4H-SiC |
| Ordre de empilement en cristal | ABCABC | ABCB |
| Paramètre de trellis | a=3.073A, c=15.117A | a=3.076A, c=10.053A |
| Bande-Gap | eV 3,02 | eV 3,27 |
| Constante diélectrique | 9,66 | 9,6 |
| Index de réfraction | n0 =2.707, Ne =2.755 | Ne =2.777 de n0 =2.719 |
Spécifications produit
| Polytype | 4H / 6H |
|---|---|
| Diamètre | Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" |
| Épaisseur | 330 um | 350 um |
| Orientation | Sur l'axe /outre de l'axe outre de 4° |
| Conductivité | N - type/semi-isolant |
| Dopant | N2) (d'azote/V (vanadium) |
| Résistivité (4H-N) | 0,015 | 0,03 ohm-cm |
| Résistivité (6H-N) | 0,02 | 0,1 ohm-cm |
| Résistivité (SI) | > 1E5 ohm-cm |
| Surface | Le CMP a poli |
| TTV | |
| Arc/chaîne | |
| Catégorie | Catégorie de production/catégorie de recherches |
