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| Prix | Negotiated |
| MOQ | 1000-2000 PCS |
| Heure de livraison | 1 - 2 Weeks |
| Marque | OTOMO |
| Point d'origine | Shenzhen Chine |
| Certification | RoHS、SGS |
| Number modèle | 8H02ETS |
| Détails de empaquetage | Enfermé dans une boîte |
| Conditions de paiement | L/C T/T Western Union |
| Capacité d'approvisionnement | 18,000,000PCS/par jour |
| Point d'origine | Shenzhen Chine | Brand Name | OTOMO |
| Certification | RoHS、SGS | Quantité d'ordre minimum | PCS 1000-2000 |
| Price | Negotiated | Détails de empaquetage | Enfermé dans une boîte |
| Délai de livraison | 1 - 2 semaines | Conditions de paiement | L/C T/T Western Union |
| Capacité d'approvisionnement | 18,000,000PCS/par jour | Number modèle | 8H02ETS |
| Nom du produit | Transistor de puissance Mosfet | VDSS | 6,0 A |
| APPLICATION | Gestion de puissance | CARACTÉRISTIQUE | Basse charge de porte |
| Transistor de transistor MOSFET de puissance | SOT-23-6L Plastique-s'encapsulent |
transistor MOSFET de mode d'amélioration de 20V N+N-Channel
DESCRIPTION
Le 8H02ETSuses a avancé la technologie de fossé à
fournissez l'excellent RDS (DESSUS), la basse charge de porte et
opération avec des tensions de porte aussi basses que 2.5V.
CARACTÉRISTIQUES GÉNÉRALES
VDS = 20V, IDENTIFICATION = 7A
8H02TS LE RDS (DESSUS)
LE RDS (DESSUS)
LE RDS (DESSUS)
LE RDS (DESSUS)
Estimation d'ESD : 2000V HBM
Application
Protection de batterie
Gestion de puissance de commutateur de charge
Inscription et information de commande de paquet
| Identité de produit | Paquet | Inscription | Quantité (PCS) |
| 8H02ETS | TSSOP-8 | 8H02ETS WW YYYY | 5000/3000 |
CAPACITÉS ABSOLUES (TA=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Limite | Unité |
| Tension de Drain-source | VDS | 20 | V |
| Tension de Porte-source | VGS | ±12 | V |
| Vidangez Current-Continuous@ Actuel-pulsé (note 1) | Identification | 7 | V |
| Dissipation de puissance maximum | Palladium | 1,5 | W |
| Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, TSTG | -55 à 150 | ℃ |
| Résistance thermique, Jonction-à-ambiante (note 2) | RθJA | 83 | ℃/W |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TA=25℃ sauf indication contraire)
