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| Prix | Negotiated |
| MOQ | 10pieces |
| Heure de livraison | 2-15days |
| Marque | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| Point d'origine | La Chine |
| Certification | ROHS |
| Number modèle | IRF1404ZPBF |
| Détails de empaquetage | forfait standard |
| Conditions de paiement | T/T, Western Union |
| Capacité d'approvisionnement | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | Number modèle | IRF1404ZPBF |
| Certification | ROHS | Point d'origine | La Chine |
| Quantité d'ordre minimum | 10pieces | Price | Negotiated |
| Conditions de paiement | T/T, Western Union | Capacité d'approvisionnement | 500000PCS |
| Délai de livraison | 2-15days | Détails de empaquetage | forfait standard |
| Famille | Produits semi-conducteurs discrets | Catégorie | Composants électroniques-MOSFET (oxyde métallique) |
| Série | HEXFET MOSFET (oxyde métallique) | Numéro de la pièce bas | IRF1404 |
| Détails | Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB | Type | Transistors - FET, MOSFET - Unique |
| Description | MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB | Paquet | TO220 |
| Montage du type | Par le trou | Le stock | En stock |
IRF1404ZPBF Transistors N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB Spécification :
|
Catégorie
|
Produits
semi-conducteurs
discrets
|
|
Transistors
-
FET,
MOSFET
-
Unique
|
|
|
Fabricant
|
Infineon
Technologies
|
|
Séries
|
HEXFET®
|
|
Paquet
|
Tube
|
|
Type
FET
|
Canal
N
|
|
La
technologie
|
MOSFET
(oxyde
métallique)
|
|
Tension
drain
à
source
(Vdss)
|
40V
|
|
Courant
-
Vidange
continue
(Id)
@
25°C
|
180A
(TC)
|
|
Tension
d'entraînement
(Max
Rds
activé,
Min
Rds
activé)
|
10V
|
|
Rds
On
(Max)
@
Id,
Vgs
|
3,7
mOhms
à
75
A,
10
V
|
|
Vgs(th)
(Max)
@
Id
|
4V
@
250µA
|
|
Charge
de
porte
(Qg)
(Max)
@
Vgs
|
150
nC
à
10
V
|
|
Vg
(Max)
|
±20V
|
|
Capacité
d'entrée
(Ciss)
(Max)
@
Vds
|
4340
pF
à
25
V
|
|
Fonction
FET
|
-
|
|
Dissipation
de
puissance
(maximum)
|
200W
(TC)
|
|
Température
de
fonctionnement
|
-55°C
~
175°C
(TJ)
|
|
Type
de
montage
|
À
travers
le
trou
|
|
Ensemble
d'appareils
du
fournisseur
|
TO-220AB
|
|
Paquet/caisse
|
TO-220-3
|
|
Numéro
de
produit
de
base
|
IRF1404
|
La description
Ce MOSFET de puissance HEXFET® utilise les dernières techniques de traitement pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium.
Les caractéristiques supplémentaires de ce produit sont une température de fonctionnement de jonction de 175°C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure résistance aux avalanches répétitives.Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un appareil extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Illimité) |
| Statut REACH | REACH non affecté |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
| Numéro d'article | IRF1404ZPBF |
| Numéro de pièce de base | IRF1404 |
| RoHS UE | Conforme à l'exonération |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de la pièce | actif |
| HTS | 8541.29.00.95 |
