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| Prix | Negotiated |
| MOQ | 1000-2000 PCS |
| Heure de livraison | 1 - 2 Weeks |
| Marque | OTOMO |
| Point d'origine | Shenzhen Chine |
| Certification | RoHS、SGS |
| Number modèle | 8205A |
| Détails de l'' emballage | |
| Conditions de paiement | L/C T/T Western Union |
| Capacité d'approvisionnement | 18,000,000PCS/par jour |
| Point d'origine | Shenzhen Chine | Brand Name | OTOMO |
| Certification | RoHS、SGS | Quantité d'ordre minimum | PCS 1000-2000 |
| Price | Negotiated | Détails de l'' emballage | |
| Délai de livraison | 1 - 2 semaines | Conditions de paiement | L/C T/T Western Union |
| Capacité d'approvisionnement | 18,000,000PCS/par jour | Number modèle | 8205A |
| Nom de produit | Transistor de puissance de transistor MOSFET | VDSS | 6,0 A |
| APPLICATION | Gestion de puissance | CARACTÉRISTIQUE | Basse charge de porte |
| Transistor de transistor MOSFET de puissance | SOT-23-6L Plastique-s'encapsulent |
8205A SOT-23-6L Plastique-encapsulent le double transistor MOSFET de N-canal de TRANSISTORS MOSFET
Description générale
|
VDSS= V ID= 6,0 A z 20 |
G1 6 |
D1, D2 5 |
G2 4 |
|||||
| z |
Le RDS (dessus) 25m GS |
|||||||
| z |
Le RDS (dessus) 32m GS |
1 2 3 S1 D1, D2 S2 |
||||||
CARACTÉRISTIQUE
transistor MOSFET de puissance de z TrenchFET
z l'excellent RDS (dessus)
basse charge de porte de z
puissance élevée de z et capacité de remise actuelle
paquet extérieur de bâti de z
APPLICATION
protection de batterie de z
commutateur de charge de z
gestion de puissance de z
| Condition d'essai de symbole de paramètre Min Typ Max Unit |
| CHARACTERICTISCS STATIQUE |
| tension claque de Drain-source V (BR) SAD VGS = 0V, identification =250µA 19 V |
| Drain zéro IDSS actuel VDS =18V, de tension de porte µA VGS = 0V 1 |
| fuite IGSS actuel VGS =±10V, Na de Porte-corps de VDS = de 0V ±100 |
| Tension de seuil de porte (note 3) VGS (Th) VDS =VGS, identification =250µA 0,5 0.9V |
| Tranconductance en avant (gFS VDS =5V, identification =4.5A 10 S de note 3) |
| Tension en avant de diode (note 3) VSD IS=1.25A, VGS = 0V 1,2 V |
| CHARACTERICTISCS DYNAMIQUE (note4) |
| Ciss de capacité d'entrée 800 PF |
| Capacité de sortie Coss VDS =8V, VGS =0V, f =1MHz 155 PF |
| Capacité inverse Crss 125 PF de transfert |
| COMMUTATION CHARACTERICTISCS (note 4) |
| Temps de retard d'ouverture TD (dessus) 18 NS |
| Temps de montée d'ouverture TR VDD=10V, VGS=4V, 5 NS |
| Temps de retard d'arrêt TD () ID=1A, RGEN=10Ω 43 NS |
| Temps de chute d'arrêt tf 20 NS |
| Charge totale Qg 11 OR de porte |
| Charge Qgs VDS =10V, VGS =4.5V, ID=4A 2,3 OR de Porte-source |
| Charge Qgd 2,5 OR de Porte-drain |
Notes :
1. Estimation répétitive : Largeur de Pluse limitée par la température de jonction maximum
2. Extérieur monté sur FR4 le panneau, sec t≤10.
3. Essai d'impulsion : Impulsion width≤300μs, devoir cycle≤2%.
4. Garanti par conception, pas sujet à la production.
Dimensions d'ensemble de paquet de SOT-23-6L
