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| Prix | Negotiated |
| MOQ | 10pieces |
| Heure de livraison | 2-15days |
| Marque | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| Point d'origine | La Chine |
| Certification | ROHS |
| Number modèle | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF |
| Détails de empaquetage | forfait standard |
| Conditions de paiement | T/T, Western Union |
| Capacité d'approvisionnement | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | Number modèle | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF |
| Certification | ROHS | Point d'origine | La Chine |
| Quantité d'ordre minimum | 10pieces | Price | Negotiated |
| Conditions de paiement | T/T, Western Union | Capacité d'approvisionnement | 500000PCS |
| Délai de livraison | 2-15days | Détails de empaquetage | forfait standard |
| Famille | Produits semi-conducteurs discrets | Catégorie | Composants électroniques-MOSFET (oxyde métallique) |
| Série | HEXFET MOSFET (oxyde métallique) | Numéro de la pièce bas | IRFB4 |
| Détails | Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB | Type | Transistors - FET, MOSFET - Unique |
| Description | Transistors MOSFET N-CH TO220AB | Paquet | TO220 |
| Montage du type | Par le trou | Le stock | En stock |
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistors TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Transistors N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FET MOSFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
La
description:
Ce
MOSFET
de
puissance
HEXFET®
utilise
les
dernières
techniques
de
traitement
pour
obtenir
une
résistance
à
l'état
passant
extrêmement
faible
par
zone
de
silicium.
Les
caractéristiques
supplémentaires
de
ce
produit
sont
une
température
de
fonctionnement
de
jonction
de
175°C,
une
vitesse
de
commutation
rapide
et
une
meilleure
résistance
aux
avalanches
répétitives.Ces
caractéristiques
se
combinent
pour
faire
de
cette
conception
un
appareil
extrêmement
efficace
et
fiable
pour
une
utilisation
dans
une
grande
variété
d'applications.
Canal
N
180A
(Tc)
200W
(Tc)
Trou
traversant
TO-220AB
Spécification
:
|
Catégorie
|
Produits
semi-conducteurs
discrets
|
|
Transistors
-
FET,
MOSFET
-
Unique
|
|
|
Fabricant
|
Infineon
Technologies
|
|
Séries
|
HEXFET®
|
|
Paquet
|
Tube
|
|
Type
FET
|
Canal
N
|
|
La
technologie
|
MOSFET
(oxyde
métallique)
|
|
Tension
drain
à
source
(Vdss)
|
40V
|
|
Courant
-
Vidange
continue
(Id)
@
25°C
|
180A
(TC)
|
|
Tension
d'entraînement
(Max
Rds
activé,
Min
Rds
activé)
|
10V
|
|
Rds
On
(Max)
@
Id,
Vgs
|
3,7
mOhms
à
75
A,
10
V
|
|
Vgs(th)
(Max)
@
Id
|
4V
@
250µA
|
|
Charge
de
porte
(Qg)
(Max)
@
Vgs
|
150
nC
à
10
V
|
|
Vg
(Max)
|
±20V
|
|
Capacité
d'entrée
(Ciss)
(Max)
@
Vds
|
4340
pF
à
25
V
|
|
Fonction
FET
|
-
|
|
Dissipation
de
puissance
(maximum)
|
200W
(TC)
|
|
Température
de
fonctionnement
|
-55°C
~
175°C
(TJ)
|
|
Type
de
montage
|
À
travers
le
trou
|
|
Ensemble
d'appareils
du
fournisseur
|
TO-220AB
|
|
Paquet/caisse
|
TO-220-3
|
|
Numéro
de
produit
de
base
|
IRF1404
|
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Illimité) |
| Statut REACH | REACH non affecté |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
